MDD950-16N1W：

MDD950-16N1W品牌：IXYS艾赛斯；

产地：美国品质；

批号：2015/2016预订

价格：RMB面议；

数量：569PCS；

深圳市迈瑞施电子技术有限公司O755一328II887 ,Q 十119859,8287

封装形式：IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；

公司拥有大量正规渠道的现货库存，建立起完善的国外采购流程，可接受客户国外代购业务。

1，功率器件：

IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；

2，驱动器件：

CONCEPT IGBT驱动模块、光耦、变频器主控板、驱动板，

操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元;

3，快速熔断器：

日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN；

4，工业大容量电容：

日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；红宝石，

epcos艾普科斯、电解电容以及美国CDE无感电容；

5，传感器：瑞士LEM电流传感器，电压传感器，霍尔传感器；

MDO500-22N1

MDO500-20N1

MDO500-18N1

MDO500-16N1

MDO500-14N1

MDO500-12N1

MDO1200-22N1

MDO1200-20N1

MDD95-22N1B

MDD95-18N1B

MDD95-16N1B

MDD95-14N1B

MDD95-12N1B

MDD95-08N1B

MDD950-22N1W

MDD950-18N1W

MDD950-14N1W

MDD950-12N1W

MDD72-18N1B

MDD72-16N1B

MDD72-14N1B

MDD72-12N1B

MDD72-08N1B

MDD600-22N1

MDD600-18N1

MDD600-16N1

MDD600-14N1

MDD600-12N1

MDD56-18N1B

MDD56-16N1B

MDD56-14N1B

MDD56-12N1B

MDD56-08N1B

MDD44-18N1B

MDD44-16N1B

MDD44-14N1B

MDD44-12N1B

MDD44-08N1B

MDD312-22N1

MDD312-20N1

MDD312-18N1

MDD312-16N1

MDD312-14N1

MDD312-12N1

MDD310-22N1

MDD310-20N1

MDD310-18N1

MDD310-16N1

MDD310-14N1

MDD310-12N1

中文资料，技术参数， PDF datasheet,图片。