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有效期还剩76天

金硅面垒型半导体探测器

我公司生产部分耗尽型金硅面垒半导体探测器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特点，适用于对能谱要求高的场合，如氡钍分析仪等，B 系列在 A 系列的窗前镀上一个保护层，克服了易损坏、窗不能擦试等缺点适用于对能量分辨率要求不高，作为放射性强度测量的探测器。

型号	工作电压	耗尽区厚度 μm	对比ORTEC U-016-300-100 型探测器（Am-241 面源）真空下测量能量分辩率 1.2	对比ORTEC U-016-300-100 型探测器（Am-241 面源）真空下测量峰道址202
A-AS20	5~300VDC	大于 1000	0.7~1.4	204~206
A-AS26	5~300VDC	大于 1000	0.7~1.4	204~206
B-AS20	5~300VDC	大于 1000	4.0~4.9	189-191
B-AS26	5~300VDC	大于 1000	4.2~4.9	189-191

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