北京北广精仪仪器设备有限公司
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四探针方块电阻测试仪四端测试法是目前较*之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。
四探针方块电阻测试仪
该方法是先测量重复形成的点接触的扩展电阻，再用校准曲线来确定被测试样在探针接触点期近的电阻率。扩展电阻R是导电金属深针与建片上一个参考点之间的电势降与流过探针的电流之比。
腐蚀电流密度 corrosion current density 单位面积的双极板材料在燃料电池运行环境中，在腐蚀电位下由于化学或电化学作用引起的破坏产生的电流值，单位为μA/cm2。注：腐蚀电流密度值大小反映了双极板腐蚀速率的快慢，是表征双极板材料及部件在燃料电池运行环境下耐腐蚀性能的物理量。
电流输出：直流电流?0～1000mA?连续可调，由交流电源供电。
阻力降 resistance drop 气体流经双极板的进出口压力差。
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
测试方法将样品夹在两块均具有气体进口和出口的不锈钢夹具之间，使两侧形成气室，作为试验渗透池。将渗透按照图1所示的试验装置示意图安装在试验装置上。室温下分别在气室的两侧通入氧气或氢气和惰性气体，使气室两侧保持一定的压力差。压力通过两侧精密压力表控制。注：压力差可在0MPa~0.2MPa之间。
CB/T1550 非本征率导体材料导电类型测试方法 GB/T 1552 硅、储单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T 20042.1 界定的以及下列术语和定义适用于本部分。
GB/T 19922-2005 硅片局部平整度非接触式标准测试方法
在中国标准分类中，四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。
四探针方块电阻测试仪
提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
对于电阻率均匀一致的半导体材料来说，探针与半导体材料接触半径为a的扩展电阻用式（1）来表示;
测量电压量程：?2mV? 20mV? 200mV?2V?
测量精度±（0.1%读数）
透气率 gas permeability 在试验条件下，在单位时间内透过单位面积样品的气体量，单位为cm3/cm2·min或ml/cm2·min。
GB/T 13465.2-2002 不透性石墨材料抗弯强度试验方法
显示方式：液晶显示
电导率：5×10-6～1×108ms/cm
体电阻率 bulk resistance 双极板材料本体的电阻率值，单位是mΩ·cm。
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
电源：220±10% 50HZ/60HZ
双极板材料气体致密性测试，测试仪器及设备包括：气相色谱仪，参透池。
范围本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂建外延层厚度的红外反射测显方法
JJG 508-2004 四探针电阻率测试仪
平面度 flatness 双极板的脊背部分具有的宏观凹凸高度相对理想平面的偏差。注：双极板的平面度直接影响双极板与炭纸之间的接触电阻，从而影响电池性能。
本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.
电阻：1×10-5～2×105Ω
测量误差±5%
电阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、
本标准适用于侧量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量材底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围，10-* n·cm～10' Ω·cm。
分辨率： 醉小1μΩ
误差：±0.2%读数±2字
分辨率： 0.1uV 1uV 10uV 100uV
量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?
本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。
样品制备样品形状为正方形（5cm×5cm），面积为25cm2；样品形状和尺寸也可由测试双方协商决定。样品数量为5个（保证得到3个有效值），应无褶皱、划痕和破损。对于不同批次的双极板材料，应分别抽样；单一材料随机抽样，不同材料分别抽样。
方法原到扩展电阻法是一种实验比较法。
电阻测量范围：
GB/T 20042.1 质子交换膜燃料电池 术语
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
面积利用率 area utilization 双极板的有效面积比，即双极板的有效面积（流畅部分的面积）与双极板总面积的比值。
接触电阻 interfacial contact resistance 两种材料之间的接触部分产生的电阻，单位是mΩ·cm2。注：双极板的接触电阻主要指双极板与炭纸之间的接触电阻。
主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm
抗弯强度 flexural strength 在规定条件下，双极板在弯曲过程中所能承受的罪大弯曲应力，单位为MPa。
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 7962.20-1987 无色光学玻璃测试方法 密度测试方法
标配：测试平台一套、主机一套、电源线数据线一套。
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
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